7月23日至24日，由成都高新發展股份有限公司（以下簡稱：高新發展）承辦的“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會暨2024年中國半導體器件技術創新及產業發展論壇”在成都圓滿召開。
7月23日上午，第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會正式拉開帷幕。中國半導體行業協會半導體分立器件分會秘書長趙小寧主持開幕式，成都市高新區高新區黨工委委員、管委會副主任車軸在開幕式上致辭。
他表示，“半導體分立器件產業作為推動半導體產業持續發展的重要力量，要把握此次盛會之機，全方位展現成都高新區作為創新高地的獨特魅力與卓越實力，持續深化開放合作，積極融入全球半導體產業鏈供應鏈，共同開拓國際市場，推動成都高新區半導體產業走向世界，助力我國半導體技術創新和產業發展邁上新的臺階！”
半導體分立器件作為電子信息產業的核心基石，是半導體技術創新的前沿陣地，始終引領著半導體產業科技進步的方向。來自半導體分立器件的400多家重點企業、行業精英，60多家高校院所及專家學者等680余人齊聚此次盛會，圍繞半導體器件技術的創新、產業發展、政策環境等方面開啟48場報告演講，共同探討行業發展的新路徑、新模式、新功能。
高新發展副總經理孟繁新博士受邀參加會議，并發表“IGBT芯片、模塊封裝技術創新與挑戰”專題報告。他指出IGBT是第三代功率半導體技術革命的代表性產品，具有高頻、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為電力電子裝置的“CPU”，廣泛應用于工業控制、軌道交通、特種電源、新能源發電、新能源汽車等領域。隨著應用需求的發展，給IGBT芯片技術、模塊封裝技術提出了更高的耐溫、耐壓、密度、頻率、可靠性等技術挑戰。報告通過對IGBT芯片技術的演進和IGBT模塊技術的演進進行分析，闡述了IGBT性能提升的關鍵技術路徑。同時，孟繁新博士還介紹了高新發展功率半導體事業群在IGBT芯片、封裝、測試、應用的技術能力，展示了提供設計仿真-分立器件背面減薄-封裝測試-組件集成-應用驗證的一站式解決方案的能力。
當晚，論壇還舉行了晚宴并進行頒獎儀式，芯未半導體憑借出色的穩定性、高可靠性的產品制造工藝；豐富的產品系列制造；先進的質量保證體系；高效的產品生產能力，榮獲“特色工藝特別貢獻獎”。獲此殊榮，是對高新發展功率半導體事業群IGBT生產線在工藝創新和獨特貢獻方面的高度認可，高新發展半導體事業群將不斷在特色工藝的道路上繼續探索和創新，致力于解決行業內存在的工藝難題，推動整個行業的技術進步。
會議期間，一系列精彩的演講和研討令人印象深刻。在會場外，精彩紛呈的展臺也讓參會人員駐足。高新發展功率半導體事業群在本次活動的展臺上，攜自主研發的IGBT產品及先進制造工藝精彩亮相。為大家帶來了工控、新能源車領域最新研發產品，同時展示了先進、穩定、可靠的分立器件加工、模塊封測工藝，以及適用于工控、光儲充、新能源車等各類產業應用場景的全套系統解決方案，吸引眾多觀眾咨詢交流。
在展臺上，通過與行業內專家學者面對面的交流互動，讓思想火花四濺，與參會者們積極分享經驗、交流心得，共同為推動行業進步出謀劃策。這不僅是知識的傳遞，更是合作的開端，為未來的協同創新奠定了堅實基礎。本次活動眾多企業展示的最新產品和解決方案，更是展現了我國在半導體分立器件領域的強大實力和無限潛力
未來，高新發展半導體事業群將繼續加大研發投入，加強產業合作、關注新興領域，堅持高水平科技自立自強，突破關鍵技術瓶頸，在現代化進程中不斷開辟發展新領域、新賽道，塑造發展新動能、新優勢。以科技創新提升國產半導體在全球市場的競爭力，實現產業的可持續發展。